- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录394 > AON7421 (Alpha & Omega Semiconductor Inc)MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP
AON7421
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
120
100
-10V
-3V
-2.5V
100
80
V DS =-5V
80
-4.5V
60
-2V
60
40
40
125 ° C
20
0
V GS =-1.5V
20
0
25 ° C
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
10
-V DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
1.6
-V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
8
V GS =-2.5V
1.4
V GS =-10V
I D =-20A
I D =-20A 2
6
4
2
V GS =-4.5V
V GS =-10V
1.2
1
V GS =-2.5V
17
5
V GS =-4.5V
10
I D =-20A
0
0.8
0
5
10
15 20 25 30
0
25
50
75
100
125
150
175
Figure 4: On-Resistance vs. Junction 18
18
15
-I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
I D =-20A
1.0E+02
1.0E+01
(Note E)
Temperature (°C) 0
Temperature
12
9
125 ° C
40
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
125 ° C
25 ° C
6
1.0E-03
3
0
25 ° C
1.0E-04
0
2
4
6
8
10
1.0E-05
-V GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
-V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
Rev.2.0: May 2013
www.aosmd.com
Page 3 of 6
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
AON7423
MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP
AON7426
MOSFET N-CH 30V 18A DFN3X3
AON7460
MOS N CH 300V 4A DFN3X3A_EP
AOT1606L
MOSFET N-CH 60V 178A TO220
AOT4N60
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
AOW480
MOSFET N-CH 80V 15A TO262
AP1608SF4C
LED IR SMD 120 DEGREE 0.4LM
AP2012SF4C
LED IR CLEAR GAALAS SMT
相关代理商/技术参数
AON7422
制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON7422E
功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A DFN3X3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AON7422E_101
功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta），40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2940pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），36W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3） 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 标准包装:5,000
AON7422G
功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:60nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:28W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.6 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3） 封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:5,000
AON7423
功能描述:MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AON7424
功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A DFN3X3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AON7426
功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A DFN3X3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AON7428
功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A 3X3DFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件